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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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20mΩ 650 V N-Kanal SIC-LeistungsmOSFET DCC020M65G2 bis-247

Diese Produktfamilie bietet hochmoderne Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen ausgelegt, bei denen eine hohe Effizienz und hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind.
Verfügbarkeit:
Menge:

20 mΩ 650 V N-Kanal sic Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet hochmoderne Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen ausgelegt, bei denen eine hohe Effizienz und hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Merkmale 

● höhere Systemeffizienz

● Reduzierte Kühlanforderungen

● Erhöhte Leistungsdichte

● Erhöhte Systemschaltfrequenz


3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs -DC/DC -Konverter.

● Motorfahrten. 

● Switch -Modus -Netzteile 

● Pulsed Power Applications 


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
650 V 20mΩ 92a


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