20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC020M65G2 TO-247

20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 

2 Funktionen 

● Höhere Systemeffizienz

● Reduzierter Kühlbedarf

● Erhöhte Leistungsdichte

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit

3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler.

● Motorantriebe. 

● Schaltnetzteile 

● Anwendungen mit gepulster Leistung 

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
650V	20mΩ	92A