20mΩ 650V canal N SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247

MOSFET de potência SiC de canal N de 20mΩ 650V

1 Descrição 

Esta família de produtos oferece desempenho de última geração. Ele foi projetado para aplicações de alta frequência onde são necessárias alta eficiência e alta confiabilidade. 

2 recursos 

● Maior eficiência do sistema

● Requisitos de resfriamento reduzidos

● Aumento da densidade de potência

● Maior frequência de comutação do sistema

3 aplicações 

● Fontes de alimentação. 

● Conversores CC/CC de alta tensão.

● Acionamentos de motores. 

● Fontes de alimentação comutadas 

● Aplicações de energia pulsada 

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
650 V	20mΩ	92A