kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » SIC » 650V-3300V SIC MOS » 20mΩ 650V N-csatornás SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

20mΩ 650V N-csatornás SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség.
Elérhetőség:
Mennyiség:

20mΩ 650V N-csatornás SiC Power MOSFET


1 Leírás 

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 


2 Jellemzők 

● Magasabb rendszerhatékonyság

● Csökkentett hűtési igény

● Megnövelt teljesítménysűrűség

● Megnövelt rendszerváltási frekvencia


3 Alkalmazások 

● Tápegységek. 

● Nagyfeszültségű DC/DC átalakítók.

● Motor hajtások. 

● Kapcsolóüzemű tápegységek 

● Impulzusteljesítményű alkalmazások 


VDSS RDS(be)(TYP) ID
650V 20 mΩ 92A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket