未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » SIC

 

Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

SIC

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Specifikace zařízení DCD20D65G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Specifikace zařízení DCE20D65G4.pdf
30mΩ 1200V N-kanál SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
500V/4A Half-Bridge IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
15A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Specifikace zařízení DCGT15D120G4.pdf
7,0A 1700V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
30A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Specifikace zařízení DCE30D65G4.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Specifikace zařízení DCCT40D120G4.pdf
4A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Specifikace zařízení DCD04D65G4.pdf
SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
25A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
20mΩ 650V N-kanál SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD05D120G3
6A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Specifikace zařízení DCC080M120A.pdf
20mΩ 650V N-kanál SiC Power MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1700V N-channel SIC Power MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
18A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com