ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » НИЦ

 

Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

НИЦ

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
20А 650В SiC барьерный диод ДКД20Д65Г4 ТО-252 DCD20D65G4 ТО-252Б 650В 20А Спецификация устройства DCD20D65G4.pdf
Диод барьера ДКЭ20Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 20А 650В ДЦЭ20Д65Г4 ТО-263 650В 20А Спецификация устройства DCE20D65G4.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 30 мОм, 1200 В DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Полумостовой IPM 500 В/4 А DPQA04HB50MF SOP-11 ДПQA04HB50MF СОП-11 500В Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 7,0 А, 1700 В DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 ТО-247 1700В Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
15А 1200В барьерный диод ДКГТ15Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2 DCGT15D120G4 ТО-220С-2Л 1200В 15А Спецификация устройства DCGT15D120G4.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB05HB50MF ЭСОП-9 500В Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
40А 1200В барьерный диод ДККТ40Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-247-2 DCCT40D120G4 ТО-247-2 1200В 40А Спецификация устройства DCCT40D120G4.pdf
Диод барьера ДКЭ30Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 30А 650В ДЦЭ30Д65Г4 ТО-263 650В 30А Спецификация устройства DCE30D65G4.pdf
4А 650В SiC диод Шоттки с барьером DCD04D65G4 ТО-252Б 650В Спецификация устройства DCD04D65G4.pdf
 Диод с барьером Шоттки SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
25А 650В барьерный диод ДКЭТ20Д65Г3 Карбида Шоттки ТО-263-2 ДЦЭТ20Д65Г3
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 20 мОм, 650 В DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 ТО-247 650В 92А Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор DCC060M65G2 TO-247, 41 А, 650 В, SIC DCC060M65G2 ТО-247 650В 41А Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5А 1200В SiC диод Шоттки с барьером DCD05D120G3
6А 650В барьерный диод ДКГТ06Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT06D65G4 ТО-220-2Л 650В Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 36 А, 1200 В DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A ТО-247 1200В 36А Спецификация устройства DCC080M120A.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 20 мОм, 650 В DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 ТО-247-4Л 650В 92А Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 5 А, 1700 В DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC 18 А, 1200 В DCC160M120G1 TO-247-3L ДКК160М120Г1 ТО-247 1200В 18А Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

 

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик