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江蘇東海半導体有限公司
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SIC

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41A 650V N チャネル SIC パワー MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A 東海_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_データシート_V1.0.pdf
5A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCD05D120G3
 SiCショットキーバリアダイオード 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
4A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A デバイス DCD04D65G4 仕様.pdf
500V/4A ハーフブリッジ IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A 東海_DPQA04HB50MF_データシート_V1.0.pdf
15A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A デバイス DCGT15D120G4 仕様.pdf
7.0A 1700V N チャネル SiC パワー MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A 東海_DCC650M170G1_データシート_V1.0.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A 東海_DPQB05HB50MF_データシート_V1.0.pdf
40A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A デバイス DCCT40D120G4 仕様.pdf
30A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A デバイス DCE30D65G4 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A デバイス DCD20D65G4 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A デバイス DCE20D65G4 仕様.pdf
30mΩ 1200V Nチャンネル SiC パワーMOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
DCC040M120A2
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A 東海_DCC016M120G3_データシート_V1.0.pdf
36A 1200V N チャネル SIC パワー MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A 東海_DCC080M170G2_データシート_V1.0.pdf
68A 1200V NチャンネルSICパワーMOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A 東海_DCC040M170G2_データシート_V1.0(1).pdf
120A 1200V NチャンネルSICパワーMOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120A 東海_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_データシート_V1.0.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A デバイス DCCT20D65G4 仕様.pdf
25A 1700V SiC ショットキーバリアダイオード DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A デバイス DCCT25D170G1 仕様.pdf

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