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江蘇東海半導体有限公司
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SIC

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25A 1700V SiC ショットキーバリアダイオード DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A デバイス DCCT25D170G1 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A デバイス DCCT20D65G4 仕様.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A 東海_DCC016M120G3_データシート_V1.0.pdf
36A 1200V N チャネル SIC パワー MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A 東海_DCC080M170G2_データシート_V1.0.pdf
68A 1200V NチャンネルSICパワーMOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A 東海_DCC040M170G2_データシート_V1.0(1).pdf
DCC040M120A2
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A デバイス DCD20D65G4 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G TO-263 650V 20A デバイス DCE20D65G4 仕様.pdf
30mΩ 1200V Nチャンネル SiC パワーMOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
40mΩ 650V Nチャンネル SiC パワーMOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A 東海_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_データシート_V1.0.pdf
8A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A デバイス DCE08D65G4 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A デバイス DCC20D65G4 仕様.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A 東海_DCCF016M120G3_データシート_V1.0(1).pdf

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