ゲート
江蘇東海半導体有限公司
現在地: » 製品 » SIC

 

モデル:
パッケージ:
V:
答え:
厳選された製品ライン:

SIC

画像 モデル パッケージ V A データシート 詳細 お問い合わせ バスケットに追加
30mΩ 1200V Nチャンネル SiC パワーMOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A 東海_DCC030M120G2_データシート_V1.0.pdf
10A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
SiC ショットキーバリアダイオード 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A デバイス DCGT10D65G4 仕様.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A デバイス DCGT20D65G4 仕様.pdf
40A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A デバイス DCC40D65G4 仕様.pdf
 SiC ショットキーバリアダイオード 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A デバイス DCE10D65G4 仕様.pdf
68A 1200V NチャンネルSICパワーMOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SiC ショットキーバリアダイオード DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A デバイス DCC20D120G4 仕様.pdf
10A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A デバイス DCD10D65G4 仕様.pdf
8A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A デバイス DCGT08D65G4 仕様.pdf
8A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A デバイス DCE08D65G4 仕様.pdf
40mΩ 650V Nチャンネル SiC パワーMOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A 東海_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_データシート_V1.0.pdf
20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A デバイス DCC20D65G4 仕様.pdf

製品ビデオ

 

  • ニュースレターに登録する
  • 今後の準備をしましょう。
    ニュースレターに登録すると、最新情報が直接受信箱に届きます。