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MOSFET de potencia de SiC de canal N, 30mΩ, 1200V, DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 A-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A y 1200V DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Especificación del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 A-220-2 650V 20A Especificación del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 40A 650V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 A-247 650V 40A Especificación del dispositivo DCC40D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCE10D65G4 A-263 650V 10A Especificación del dispositivo DCE10D65G4.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diodo de barrera Schottky de 20A 1200V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 A-247 1200V 20A Especificación del dispositivo DCC20D120G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A 650V DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Especificación del dispositivo DCD10D65G4.pdf
diodo de barrera Schottky de 8A 650V SiC DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Especificación del dispositivo DCGT08D65G4.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N, 40mΩ, 650V, DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 A-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 8A 650V SiC DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 A-263 650V 8A Especificación del dispositivo DCE08D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 A-247 650V 20A Especificación del dispositivo DCC20D65G4.pdf

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