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diodo de barrera Schottky de 6A 650V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 20 mΩ y 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 A-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 A-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 5A 1200V DCD05D120G3
Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Diodo de barrera Schottky de 4A 650V SiC DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 15A 1200V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Especificación del dispositivo DCGT15D120G4.pdf
MOSFET de potencia SiC de canal N de 7.0A 1700V DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 A-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 A-247-2 1200V 40A Especificación del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 A-263 650V 30A Especificación del dispositivo DCE30D65G4.pdf

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