ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » НИЦ

 

Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

НИЦ

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
6А 650В барьерный диод ДКГТ06Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT06D65G4 ТО-220-2Л 650В Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
25А 650В барьерный диод ДКЭТ20Д65Г3 Карбид Шоттки ТО-263-2 ДЦЭТ20Д65Г3
N-канальный силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния, 20 мОм, 650 В DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 ТО-247 650В 92А Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор DCC060M65G2 TO-247, 41 А, 650 В, SIC DCC060M65G2 ТО-247 650В 41А Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5А 1200В SiC диод Шоттки с барьером DCD05D120G3
 Диод с барьером Шоттки SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
4А 650В SiC диод Шоттки с барьером DCD04D65G4 ТО-252Б 650В Спецификация устройства DCD04D65G4.pdf
Полумостовой IPM 500 В/4 А DPQA04HB50MF SOP-11 ДПQA04HB50MF СОП-11 500В Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 7,0 А, 1700 В DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 ТО-247 1700В Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
15А 1200В барьерный диод ДКГТ15Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2 DCGT15D120G4 ТО-220С-2Л 1200В 15А Спецификация устройства DCGT15D120G4.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB05HB50MF ЭСОП-9 500В Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Диод с барьером Шоттки Карбид 40А 1200В ДККТ40Д120Г4 ТО-247-2 DCCT40D120G4 ТО-247-2 1200В 40А Спецификация устройства DCCT40D120G4.pdf
30А 650В барьерный диод ДКЭ30Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-263 ДЦЭ30Д65Г4 ТО-263 650В 30А Спецификация устройства DCE30D65G4.pdf

Видео о продукте

 

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик