ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » НИЦ

 

Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

НИЦ

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 30 мОм, 1200 В DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 ТО-247 1200В 68А Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
10А 1200В SiC диод Шоттки с барьером DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Диод барьера 10А 650В ДКГТ10Д65Г4 ТО-220-2Л Карбида Шоттки DCGT10D65G4 ТО-220-2Л 650В 10А Спецификация устройства DCGT10D65G4.pdf
20А 650В барьерный диод ДКГТ20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT20D65G4 ТО-220-2 650В 20А Спецификация устройства DCGT20D65G4.pdf
40А 650В барьерный диод ДКК40Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-3 DCC40D65G4 ТО-247 650В 40А Спецификация устройства DCC40D65G4.pdf
 SiC диод с барьером Шоттки 10А 650В ДЦЭ10Д65Г4 ТО-263 650В 10А Спецификация устройства DCE10D65G4.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 68 А, 1200 В DCC040M120A2/DCCF040M120A2
20А 1200В барьерный диод ДКК20Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-247-3 DCC20D120G4 ТО-247 1200В 20А Спецификация устройства DCC20D120G4.pdf
10А 650В SiC диод Шоттки с барьером DCD10D65G4 ТО-252Б 650В 10А Спецификация устройства DCD10D65G4.pdf
8А 650В барьерный диод ДКГТ08Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT08D65G4 ТО-220-2Л 650В Спецификация устройства DCGT08D65G4.pdf
Диод барьера ДКЭ08Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 8А 650В DCE08D65G4 ТО-263 650В Спецификация устройства DCE08D65G4.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 40 мОм, 650 В DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 ТО-247 650В 52А Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
20А 650В барьерный диод ДКК20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-3 DCC20D65G4 ТО-247 650В 20А Спецификация устройства DCC20D65G4.pdf

Видео о продукте

 

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик