未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » SIC

 

Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

SIC

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
6A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
25A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
20mΩ 650V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
41A 650V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCD05D120G3
SiC Schottky Barrier Diodi 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
4A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Laite DCD04D65G4 Specification.pdf
500V/4A puolisilta IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
15A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Laitteen DCGT15D120G4 Specification.pdf
7.0A 1700V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
30A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Laitteen DCE30D65G4 Specification.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Laitteen DCCT40D120G4 Specification.pdf

Tuotevideo

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com