未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » SIC

 

Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

SIC

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
30mΩ 1200V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
10A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
SiC Schottky Barrier Diodi 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Laitteen DCGT10D65G4 Specification.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650V 20A Laitteen DCGT20D65G4 Specification.pdf
40A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650V 40A Laite DCC40D65G4 Specification.pdf
SiC Schottky Barrier Diodi 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Laitteen DCE10D65G4 Specification.pdf
68A 1200V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Laitteen DCC20D120G4 Specification.pdf
10A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Laite DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Laitteen DCGT08D65G4 Specification.pdf
8A 650 V SiC Schottky Barrier Diodi DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Laitteen DCE08D65G4 Specification.pdf
40mΩ 650V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Laite DCC20D65G4 Specification.pdf

Tuotevideo

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com