未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC

 

Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

SIC

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
41A 650V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A DCC060M65G2 i DCCF060M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/5 A IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
Półmostek 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
40mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650 V 52A DCC040M65G2 i DCCF040M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200 V 110A DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A DCC080M170G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A DCC040M170G2_Arkusz danych_V1.0(1).pdf
DCC040M120A2

Film o produkcie

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com