未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC

 

Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

SIC

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Półmostek 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
7,0 A 1700 V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky' DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specyfikacja urządzenia DCGT15D120G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 1200 V SiC DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specyfikacja urządzenia DCCT40D120G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 650 V SiC DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30A Specyfikacja urządzenia DCE30D65G4.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCD20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCE20D65G4.pdf
30mΩ 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
40mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 8A 650 V SiC DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specyfikacja urządzenia DCE08D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D65G4.pdf

Film o produkcie

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com