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Diodo a barriera Schottky SiC da 25 A 1700 V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Specifiche del dispositivo DCCT25D170G1.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
MOSFET SiC DCC016M120G3 TO-247 da 1200 V/16 mΩ/110 A DCC016M120G3 TO-247 1200 V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
DCC040M120A2
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCD20D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCE20D65G4.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specifiche del dispositivo DCE08D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D65G4.pdf
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf

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