MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247

MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V

1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche

● Maggiore efficienza del sistema

● Requisiti di raffreddamento ridotti 

● Maggiore densità di potenza 

● Maggiore frequenza di commutazione del sistema

3 applicazioni 

● Ricarica del veicolo elettrico 

● Alimentatori del server 

● Inverter solari fotovoltaici 

●UPS 

● Convertitori CC/CC

VDSS	RDS(acceso) (TIPO)	ID
650 V	40 mΩ	52A