MOSFET de putere SiC cu canal N de 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247

MOSFET de putere SiC cu canal N de 40 mΩ 650 V

1 Descriere 

Această familie de produse oferă performanțe de ultimă oră. Este proiectat pentru aplicații de înaltă frecvență în care sunt necesare eficiență ridicată și fiabilitate ridicată. 

2 Caracteristici

● Eficiență mai mare a sistemului

● Cerințe de răcire reduse 

● Densitate de putere crescută 

● Creșterea frecvenței de comutare a sistemului

3 Aplicații 

● Încărcare EV 

● Surse de alimentare pentru server 

● Invertoare solare fotovoltaice 

● UPS 

● Convertoare DC/DC

VDSS	RDS(activat) (TYP)	ID
650V	40mΩ	52A