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40mΩ 650V canal N SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247

Esta família de produtos oferece desempenho de última geração. Ele foi projetado para aplicações de alta frequência onde são necessárias alta eficiência e alta confiabilidade.
Disponibilidade:
Quantidade:

MOSFET de potência SiC de canal N de 40mΩ 650V


1 Descrição 

Esta família de produtos oferece desempenho de última geração. Ele foi projetado para aplicações de alta frequência onde são necessárias alta eficiência e alta confiabilidade. 


2 recursos

● Maior eficiência do sistema

● Requisitos de resfriamento reduzidos 

● Aumento da densidade de potência 

● Aumento da frequência de comutação do sistema


3 aplicações 

● Carregamento de veículos elétricos 

● Fontes de alimentação para servidores 

● Inversores solares fotovoltaicos 

● UPS 

● Conversores CC/CC


VDSS  RDS(ligado) (TYP) EU IA 
650 V 40mΩ 52A


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