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Diodo barriera Schottky SiC 8A 650V DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Specifiche del dispositivo DCGT08D65G4.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
Diodo barriera Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D120G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCE10D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 40A 650V DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Specifiche del dispositivo DCC40D65G4.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 10 A 1200 V DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 5A 1700 V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET di potenza SIC a canale N 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200 V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200 V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200 V 36A Specifiche del dispositivo DCC080M120A.pdf

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