Diodo a barriera Schottky SiC da 5 A 1200 V

Diodo a barriera Schottky SiC da 5 A 1200 V

1 Descrizione La famiglia di prodotti della serie SiC offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche 

⚫ alta tensione 

⚫ Corrente di recupero inversa zero

⚫ Tensione di recupero diretta zero

⚫ Coefficiente di temperatura positivo sulla VF 

⚫ Temperatura di giunzione operativa 175°C 

3 applicazioni

⚫ Alimentatori switching 

⚫ Rifasamento 

⚫ Azionamento di motori, inverter fotovoltaici, centrali eoliche

VBRM	Controllo qualità	SE（TC≤135℃）
1200 V	18,5nC	9,5 A