未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC

 

Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

SIC

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Dioda barierowa Schottky'ego 8A 650 V SiC DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Specyfikacja urządzenia DCGT08D65G4.pdf
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 1200 V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D120G4.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCE10D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCGT20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 650 V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Specyfikacja urządzenia DCC40D65G4.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 10A 1200V SiC DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCGT10D65G4.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
20 mΩ 650 V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
5A 1700V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
18A 1200V N-kanałowy SIC MOSFET mocy DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200 V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Arkusz danych_V1.0.pdf
30mΩ 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200 V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200 V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200 V 36A Specyfikacja urządzenia DCC080M120A.pdf

Film o produkcie

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com