未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » sic

 

Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Sic

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
36A 1200V N-kanał SIC MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V. 37a DCC080M170G2_DATASHEET_V1.0.PDF
68A 1200V N-kanał SIC MOSFET DCC040M170G2 To-247-3 1700 V. 67a DCC040M170G2_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
40MΩ 650V N-Kanałowa moc SIC MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 Do 247-4l 650 V. 52a DCC040M65G2 i DCCF040M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
41A 650V N-kanał SIC MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 Do 247-4l 650 V. 41a DCC060M65G2 i DCCF060M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
500 V/4A Half-most IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V. 4a DPQA04HB50MF_DATASHEET_V1.0.PDF
500 V/5A Half-most IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V. 5a DPQA05HB50MF_DATASHEET_V1.0.PDF
20A 650V SIC Schottky Dioda DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 To-220-2 650 V. 20a Urządzenie DCGT20D65G4 Specyfikacja.pdf
15A 1200V SIC Schottky Dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 To-220C-2L 1200 V. 15a Urządzenie DCGT15D120G4 Specyfikacja.pdf
30A 650V SIC Schottky Dioda DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 To-263 650 V. 30a Urządzenie DCE30D65G4 Specyfikacja.pdf
8A 650V SIC Schottky Dioda DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 To-263 650 V. 8a Device DCE08D65G4 Specyfikacja.pdf
20A 650V SIC Schottky Dioda DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 To-263 650 V. 20a Device DCE20D65G4 Specyfikacja.pdf
68A 1200V N-kanał SIC MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20mΩ 650 V N-Kanałowa moc SIC MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 Do 247-4l 650 V. 92a DCC020M65G2 i DCCF020M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
20A 1200V SIC Schottky Dioda DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V. 20a Urządzenie DCC20D120G4 Specyfikacja.pdf
5A 1700V N-Kanałowa Power MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
40A 650V SIC Schottky Dioda DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V. 40a Urządzenie DCC40D65G4 Specyfikacja.pdf
18A 1200V N-kanał SIC MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200 V. 18a DCC160M120G1 i DCCF160M120G1_DATASHEET_V1.0.PDF
40A 1200V SIC Schottky Dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 To-247-2 1200 V. 40a Urządzenie DCCT40D120G4 Specyfikacja.pdf
7,0A 1700V N-Kanałowa Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 V. 7a DCC650M170G1_DATASHEET_V1.0.PDF
20A 650V SIC Schottky Dioda DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V. 20a Urządzenie DCD20D65G4 Specyfikacja.pdf

Wideo produktu

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com