未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC

 

Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

SIC

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCD20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCE20D65G4.pdf
30 mΩ 1200 V N-kanałowy SiC MOSFET mocy DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Półmostek 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 15A 1200 V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specyfikacja urządzenia DCGT15D120G4.pdf
7,0 A 1700 V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 650 V SiC DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30A Specyfikacja urządzenia DCE30D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 1200 V SiC DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specyfikacja urządzenia DCCT40D120G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 4A 650V SiC DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Specyfikacja urządzenia DCD04D65G4.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Dioda barierowa Schottky'ego 25A 650V SiC DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
20 mΩ 650 V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
41A 650V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 5A 1200V SiC DCD05D120G3
Dioda barierowa Schottky'ego 6A 650 V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200 V 36A Specyfikacja urządzenia DCC080M120A.pdf
20 mΩ 650 V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
5A 1700V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
18A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200 V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf

Film o produkcie

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com