未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » SIC

 

Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

SIC

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
36A 1200V N-kanaliga SIC toide MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Seadme DCC080M120A spetsifikatsioon.pdf
20A 650V SiC Schottky tõkkediood DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Seadme DCCT20D65G4 spetsifikatsioon.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanaliga SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
68A 1200V N-kanaliga SIC Power MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
DCC040M120A2
20A 650V SiC Schottky tõkkediood DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Seadme DCD20D65G4 spetsifikatsioon.pdf
20A 650V SiC Schottky tõkkediood DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Seadme DCE20D65G4 spetsifikatsioon.pdf
30mΩ 1200V N-kanaliga SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
40mΩ 650V N-kanaliga SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
8A 650 V SiC Schottky tõkkediood DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Seadme DCE08D65G4 spetsifikatsioon.pdf
20A 650V SiC Schottky tõkkediood DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Seadme DCC20D65G4 spetsifikatsioon.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf

Tootevideo

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com