未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » SIC

 

Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

SIC

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
6A 650 V SiC Schottky tõkkediood DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
25A 650 V SiC Schottky tõkkediood DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
20mΩ 650V N-kanaliga SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
41A 650 V N-kanaliga SIC toide MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200 V SiC Schottky tõkkediood DCD05D120G3
SiC Schottky tõkkediood 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
4A 650 V SiC Schottky tõkkediood DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Seadme DCD04D65G4 spetsifikatsioon.pdf
500V/4A poolsilla IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
7.0A 1700V N-kanaliga SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
15A 1200 V SiC Schottky tõkkediood DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Seadme DCGT15D120G4 spetsifikatsioon.pdf
500V/3A poolsild IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V SiC Schottky tõkkediood DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Seadme DCCT40D120G4 spetsifikatsioon.pdf
30A 650V SiC Schottky tõkkediood DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Seadme DCE30D65G4 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com