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20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCD20D65G4 TO-252

SiC シリーズ製品ファミリーは、最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。
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お問い合わせ f2843bacf2b642a0=240A 85V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS020N88U TOLLパッケージ

  • DCD20D65G4

  • WXDH

  • DCD20D65G4

  • TO-252B

  • デバイス DCD20D65G4 仕様.pdf

  • 650V

  • 20A

20A 650V SiC ショットキーバリアダイオード


1 説明 

SiC シリーズ製品ファミリーは、最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。 


2 特徴 

⚫高電圧 

⚫ 逆回復電流ゼロ 

⚫ ゼロ順方向回復電圧

⚫ VF の正の温度係数

⚫ 動作ジャンクション温度 175°C 


3 アプリケーション 

⚫ スイッチングモード電源 

⚫ 力率改善 

⚫ モータードライブ、パワーコンディショナー、風力発電所


VBRM 品質管理  IF（TC≦135℃）
650V 41nC 30A


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SiCダイオード
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