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Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252

La famille de produits de la série SiC offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis.

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Modèle:
DCD20D65G4
Marque:
WXDH
Modèle:
DCD20D65G4
Emballer:
TO-252B
Fiche de données:
Spécification de l'appareil DCD20D65G4.pdf
V :
650V
UN:
20A

Description du produit

Diode barrière Schottky SiC 20A 650V

1 Descriptif

La famille de produits de la série SiC offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis.

2 Caractéristiques

⚫ haute tension

⚫ Courant de récupération inverse nul

⚫ Tension de récupération zéro

⚫ Coefficient de température positif sur VF

⚫ Température de jonction de fonctionnement de 175 °C

3 candidatures

⚫ Alimentations à découpage

⚫ Correction du facteur de puissance

⚫ Entraînement moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne

VBRM	QC	SI (TC≤135℃)
650V	41nC	30A

Diode SiC

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