未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » IGBT

Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

IGBT

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
20A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolární tranzistor DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650V 20A DGC20F65M2_datasheet.pdf
20A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGE20F65M2 TO-263 DGE20F65M2 TO-263 650V 20A DGE20F65M2_datasheet.pdf
DGC60F65M
G40N120D
DGC75F120M2
G50T65LBBW
G50T65LBBW
DGC75F65M
G50T65D
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC40F120M2 TO-247 DGC40F120M2 TO-247 1200V 40A DGC40F120M2 - datový list-20230621.pdf
G20T65D
G50N120D
DGF25F65M
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650V 50A DGC50F65M2__datasheet.pdf
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 TO-247 1200V 40A DGC40H120M2 - datasheet.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650V 50A G50T65LBBW__datasheet(1)(1).pdf
75A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
25A 1200V s izolovanou bránou bipolární tranzistor G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
75A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650V 50A G50T65DS_datasheet.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com