未命名(1)(8) (1)
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

400 V-1500 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
13A 650 V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specyfikacja urządzenia DHSJ13N65.pdf
4A 600 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
7A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+karta katalogowa+wersja 1.0.pdf
60A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
4A 700 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
4,5 A, 650 V, tryb wzmocnienia kanału N, moc MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4,5A 英文版F5N65C 技术规格书REV1.1.pdf
13A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500 V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20A Specyfikacja urządzenia 20N50(1).pdf
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
5A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
40A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specyfikacja urządzenia DH100P40.pdf
2A 600 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600 V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
10A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
17A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specyfikacja urządzenia DHSJ17N65.pdf
10A 400V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400 V 10A Specyfikacja urządzenia 740.pdf
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com