brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N-MOS » 18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET DH640 TO-220C

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH640 TO-220C

Te ulepszone vdmosfety z kanałem N są uzyskiwane dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem RoHS.
Dostępność:
Ilość:

18A 200V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia


1 Opis 

Te ulepszone vdmosfety z kanałem N są uzyskiwane dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem RoHS. 


2 funkcje

● Szybkie przełączanie 

● Niski opór 

● Niski ładunek bramki 

● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego 

● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie 

● 100% test ΔVDS 


3 aplikacje 

● Wysokowydajne zasilacze impulsowe.

● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.

● UPS 

● Falownik

VDSS RDS(wł.)(TYP) ID
200 V 0,16 mΩ 18A


Poprzedni: 
Następny: 
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą