18A 200V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH640 TO-220C

18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή 

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Τροφοδοτικά λειτουργίας διακόπτη υψηλής απόδοσης.

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας προσαρμογέα και φορτιστή.

● UPS 

● Μετατροπέας

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
200V	0,16mΩ	18Α