未命名（1）（8）（1）
ゲート
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd
あなたはここにいます： 家 » 製品 »» モスフェット » 12V-300V N MOS » 18A 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH640 TO-220C

読み込み

共有：
Facebook共有ボタン
Twitter共有ボタン
ライン共有ボタン
WeChat共有ボタン
LinkedIn共有ボタン
Pinterest共有ボタン
WhatsApp共有ボタン
Sharethis共有ボタン

18A 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH640 TO-220C

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。
可用性：
数量：
お問い合わせください バスケットに追加します

  • DH640

  • WXDH

  • TO-220C

  • デバイス640仕様.pdf

  • 200V

  • 18a

18A 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1説明 

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 


2つの機能

●高速スイッチング 

●抵抗が少ない 

●低ゲートチャージ 

●低い逆転送容量 

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト 

●100％ΔVDSテスト 


3つのアプリケーション 

●高効率スイッチモード電源。

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。

●UPS 

●インバーター

VDSS rds（on）（typ） id
200V 0.16mΩ 18a


前の： 
次： 
モスフェット
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd
  • ニュースレターにサインアップしてください
  • 私たちのニュースレターにサインアップして、最新
    情報を受信トレイに直接入手する準備をしてください
    提出する
Copyright© 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd Technology by leadong.com