18A 200 В N-канальний режим посилення потужності MOSFET DH640 до-220c

18A 200 В N-канальний режим удосконалення потужності MOSFET

1 опис 

Ці N-канальні покращені VDMOSFETS, отримують за допомогою самовигалученої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує ефективність перемикання та покращує енергію лавини. Що відповідає стандарту ROHS. 

2 особливості

● Швидкий перемикання 

● Низька опір 

● Низький заряд воріт 

● Низька ємність зворотного перенесення 

● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином 

● 100% ΔVDS -тест 

3 програми 

● Постачання живлення режиму високої ефективності.

● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.

● ДБЖ 

● Інвертор