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18A 200V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH640 TO-220C

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、伝導損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。 RoHS規格に準拠しています。
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お問い合わせ f2843bacf2b642a0=240A 85V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS020N88U TOLLパッケージ

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  • TO-220C

  • デバイス 640 仕様.pdf

  • 200V

  • 18A

18A 200V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET


1 説明 

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、伝導損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。 RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴

●高速スイッチング 

●低オン抵抗 

● ゲートチャージが低い 

● 低い逆伝達容量 

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト 


3 アプリケーション 

●高効率スイッチモード電源です。

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。

●UPS 

●インバータ

VDSS RDS(オン)(TYP) ID
200V 0.16mΩ 18A


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