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18a 200v Mode d'amélioration du canal N MOSFET DH640 à-220C

Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS.
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18a 200v Mode d'amélioration du canal N MOSFET


1 Description 

Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques

● Commutation rapide 

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Alimentations d'alimentation en mode commutateur à haute efficacité.

● Circuit d'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

● UPS 

● onduleur

Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
200 V 0,16mΩ 18a


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