18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH640 TO-220C

18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Բարձր արդյունավետության անջատիչ ռեժիմի սնուցման աղբյուրներ:

● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:

● UPS 

● Inverter

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
200 Վ	0,16 mΩ	18Ա