18A 200V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DH640 TO-220C

18A 200V N-kanaal Enhancement Mode Power-MOSFET

1 Beschrijving 

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken

● Snel schakelen 

● Weinig weerstand 

● Lage poortlading 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen 

● Hoogefficiënte schakelende voedingen.

● Stroomschakelaarcircuit van adapter en oplader.

● UPS 

● Omvormer

VDSS	RDS(aan)(TYP)	Identiteitskaart
200V	0,16 mΩ	18A