18A 200V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH640 TO-220C

18A 200V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

1 Opis 

Ti N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša izgubo prevodnosti, izboljša preklopno zmogljivost in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS. 

2 Lastnosti

● Hitro preklapljanje 

● Nizka odpornost 

● Nizek naboj vrat 

● Nizke kapacitivnosti povratnega prenosa 

● 100 % preizkus energije plazovnega plazu z enim pulzom 

● 100% ΔVDS test 

3 Aplikacije 

● Visoko učinkoviti stikalni napajalniki.

● Tokokrog stikala za napajanje adapterja in polnilnika.

● UPS 

● Inverter

VDSS	RDS (vklopljen) (TYP)	ID
200 V	0,16 mΩ	18A