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MOSFET di potenza DH640 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 18 A 200 V

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MOSFET di potenza DH640 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 18 A 200 V

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS.

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Modello:
DH640
Marca:
WXDH
Pacchetto:
TO-220C
Scheda dati:
Specifiche del dispositivo 640.pdf
V:
200 V
UN:
18A

Descrizione del prodotto

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 18 A 200 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS.

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida

● Bassa resistenza

● Carica di gate bassa

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni

● Alimentatori switching ad alta efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie.

●UPS

●Invertitore

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
200 V	0,16 mΩ	18A

MOSFET