18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH640 TO-220C

18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ 

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ 

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ 

● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ 

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ການສະຫນອງພະລັງງານຂອງຮູບແບບສະຫຼັບປະສິດທິພາບສູງ.

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.

● UPS 

● Inverter

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
200V	0.16mΩ	18A