MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 18A 200V DH640 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 18A y 200 V

1 Descripción 

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia.

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

● SAI 

● Inversor

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
200V	0,16 mΩ	18A