18A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH640 TO-220C

18A 200V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis 

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Vysokoúčinné napájacie zdroje s prepínaným režimom.

● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.

● UPS 

● Invertor

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
200 V	0,16 mΩ	18A