18 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH640 TO-220C

18 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Hocheffiziente Schaltnetzteile.

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

● USV 

● Wechselrichter

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
200V	0,16 mΩ	18A