18A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH640 TO-220C

18A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис 

Ці покращені N-канальні vdmosfet, отримані за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості

● Швидке перемикання 

● Низький опір 

● Низький заряд затвора 

● Низькі ємності зворотного перенесення 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини 

● 100% тест ΔVDS 

3 Додатки 

● Високоефективні імпульсні джерела живлення.

● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.

● ДБЖ 

● Інвертор

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
200В	0,16 мОм	18А