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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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SIC

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MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/5 A DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/4 A DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 120A 1200V DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200 V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 25 A 1700 V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Specifiche del dispositivo DCCT25D170G1.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 36 A 1200 V DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Specifiche del dispositivo DCC080M120A.pdf
DCC040M120A2
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200 V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCD20D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCE20D65G4.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specifiche del dispositivo DCE08D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D65G4.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 10 A 650 V DCD10D65G4 TO-252B 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCD10D65G4.pdf

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