ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » НИЦ

 

Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

НИЦ

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
N-канальный силовой МОП-транзистор DCCF060M65G2 TO-247, 41 А, 650 В, SIC DCCF060M65G2 ТО-247-4Л 650В 41А Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/5 А DPQA05HB50MF SOP-11 ДПQA05HB50MF СОП-11 500В Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
1200 В/16 МОм/110 А SiC МОП-транзистор DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 ТО-247-4Л 1200В 110А Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
20А 650В барьерный диод ДККТ20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-2Л DCCT20D65G4 ТО-247-2Л 650В 20А Спецификация устройства DCCT20D65G4.pdf
Полумостовой IPM 500 В/4 А DPQA04HB50MF SOP-11 ДПQA04HB50MF СОП-11 500В Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 40 мОм, 650 В DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 ТО-247-4Л 650В 52А Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 120 А, 1200 В DCC016M120G2/DCCF016M120G2 DCC016M120G2 ТО-247 1200В 120А Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
25А 1700В SiC диод Шоттки с барьером DCCT25D170G1 ТО-247-2Л 1700В 25А Спецификация устройства DCCT25D170G1.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 36 А, 1200 В DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 ТО-247-4Л 1200В 36А Спецификация устройства DCC080M120A.pdf
DCC040M120A2
1200 В/16 МОм/110 А SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 ТО-247 1200В 110А Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
36 А, 1200 В, N-канальный силовой МОП-транзистор SIC DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 ТО-247 1700В 37А Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 68 А, 1200 В DCC040M170G2 ТО-247-3 1700В 67А Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
20А 650В SiC барьерный диод ДКД20Д65Г4 ТО-252 DCD20D65G4 ТО-252Б 650В 20А Спецификация устройства DCD20D65G4.pdf
Диод барьера ДКЭ20Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 20А 650В ДЦЭ20Д65Г4 ТО-263 650В 20А Спецификация устройства DCE20D65G4.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 30 мОм, 1200 В DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Диод барьера ДКЭ08Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 8А 650В DCE08D65G4 ТО-263 650В Спецификация устройства DCE08D65G4.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 40 мОм, 650 В DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 ТО-247 650В 52А Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
20А 650В барьерный диод ДКК20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-3 DCC20D65G4 ТО-247 650В 20А Спецификация устройства DCC20D65G4.pdf
10А 650В SiC диод Шоттки с барьером DCD10D65G4 ТО-252Б 650В 10А Спецификация устройства DCD10D65G4.pdf

Видео о продукте

 

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик