未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » SIC

 

Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

SIC

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
41A 650V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/5 A IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCCT20D65G4.pdf
Półmostek 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
40mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
120A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200 V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 25A 1700V SiC DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Specyfikacja urządzenia DCCT25D170G1.pdf
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Specyfikacja urządzenia DCC080M120A.pdf
DCC040M120A2
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200 V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M170G2 TO-247-3 1700 V 67A Donghai_DCC040M170G2_Arkusz danych_V1.0(1).pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCD20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCE20D65G4.pdf
30mΩ 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
Dioda barierowa Schottky'ego 8A 650 V SiC DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specyfikacja urządzenia DCE08D65G4.pdf
40mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D65G4.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 10A 650V SiC DCD10D65G4 TO-252B 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCD10D65G4.pdf

Film o produkcie

 

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com