brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » SIC

 

Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

SIC

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
500V/5A Half-Bridge IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Specifikace zařízení DCCT20D65G4.pdf
500V/4A Half-Bridge IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
40mΩ 650V N-kanál SiC Power MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
120A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
25A 1700V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Specifikace zařízení DCCT25D170G1.pdf
36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Specifikace zařízení DCC080M120A.pdf
DCC040M120A2
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Specifikace zařízení DCD20D65G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Specifikace zařízení DCE20D65G4.pdf
30mΩ 1200V N-kanál SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
40mΩ 650V N-kanál SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Specifikace zařízení DCE08D65G4.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Specifikace zařízení DCC20D65G4.pdf
10A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Specifikace zařízení DCD10D65G4.pdf

Video o produktu

 

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky