未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

400V-1500V N MOS

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia 8N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 500V 8N50 A-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET F10N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 500V F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
Transistor de silicio epitaxial NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET de potencia 740 TO-220C del modo de mejora del canal N de 10A 400V 740 A-220C 400V 10A Especificación del dispositivo 740.pdf
MOSFET de potencia 9N90 TO-3PN del modo de mejora del canal N de 9A 900V 9N90 A-3PN 900V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
MOSFET de potencia F20N50 del modo de mejora del canal N de 20A 500V F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 12 A y 700 V DJF360N70
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4.8A 650V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 11A 650V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 A-220C 650V 11A Dispositivo DHSJ11N65Especificación(S).pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 A-220C 650V 13A Especificación del dispositivo DHSJ13N65.pdf
MOSFET de potencia 12N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 12A 650V 12N65 A-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 31A y 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 85A 150V DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Especificación del dispositivo DHS110N15D.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 40A 100V DH100P40 TO-220C DH100P40 A-220C 100V 40A Especificación del dispositivo DH100P40.pdf
MOSFET de potencia F4N60 TO-220F del modo de mejora del canal N de 4A 600V F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
-10A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH170P04V SOP-8 DH170P04V POE-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+Especificación.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 42A 600V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F A-247 600V 42A Especificación del dispositivo DJC070N60F.pdf
transistor bipolar G50T65D TO-3PN de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65D A-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
MOSFET F5N80 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 5A 800V F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 150A 150V DHS042N15E TO-263 DHS042N15E A-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com