未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

400V-1500V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
10A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
Epitaxní silikonový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
10A 400V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400V 10A Specifikace zařízení 740.pdf
9A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
20A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
12A 700V N-kanálový super Junction Power MOSFET DJF360N70
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
11A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650V 11A Zařízení DHSJ11N65Specification(S).pdf
13A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Specifikace zařízení DHSJ13N65.pdf
12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
31A 600V N-kanálový super Junction Power MOSFET DJC099N60F/DJF099N60F
85A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS1čN15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Specifikace zařízení DHS110N15D.pdf
40A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Specifikace zařízení DH100P40.pdf
4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
-10A -40V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Zařízení+DH170P04V+Specifikace.pdf
42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600V 42A Specifikace zařízení DJC070N60F.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
150A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS042N15E TO-2 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
5A 800V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com