未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

400V-1500V N MOS

obrázku modelu Balíček v a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
N-Channel Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7a Zařízení dhdsj7n65 & dhbsj7n65 specifikace.doc.pdf
10A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650V 10a 英文版 F10N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
10A 400V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10a Zařízení 740 Specifikace.pdf
8A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B8N50 TO-251 B8n50 TO-251 500V 8a
18A 650V Izolovaná brána Bipolární tranzistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18a Specifikace zařízení DHG20T65D (TO-220F) .pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 20N50B TO-247 20n50b TO-247 500V 20a Specifikace 20N50 (1) .pdf
4a 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D4N65 TO-252B D4n65 TO-252B 650V 4a 英文版 D4n65 技术规格书 Rev1.0.pdf
12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650V 12a 英文版 12N65 技术规格书 .pdf
14a 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 14N65 TO-220C 14n65 TO-220C 650V 14a 英文版 14N65 技术规格书 AY3 (1) .pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18n50d To-3pn 500V 18a 英文版 18N50D 技术规格书 .pdf
4.8a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8a Dhfsj5n65_dateSheet_v1.0.pdf
70A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650V 70a Zařízení DJC070N65M2 Specifikace Rev.1.0.pdf
4.8a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8a DHDSJ5N65 & DHBSJ5N65_DATESHEET_V1.0 (2) .pdf
10.6a 700V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700V 10.6a Zařízení DJF420N70T Specifikace Rev.1.0.pdf
10.6a 700V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6a Zařízení DJD420N70T Specifikace Rev.1.0.pdf
7A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7a 英文版 DHD7N65 技术规格书 REV1.1.PDF
60a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60a Specifikace zařízení DHD015N06 (低开启电压 50N06） .pdf
D7N60 TO-252B D7n60 TO-252B 600V 7a 英文版 D7n60 技术规格书 .pdf
9A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D9N65 TO-252B D9n65 TO-252B 650V 9a 英文版 D9n65 技术规格书 (1) .pdf
40A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200V 40a Zařízení DCC075M120G2C Specifikace.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by vodong.com