未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

400V-1500V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
10.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10.6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
4.8A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
18A 500V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
20A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
8A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
10.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10.6A Laite DJF380N65T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
12A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 -220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datasheet V1.0(1).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
10A 800V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
10A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 5N50 5N50

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com