未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

400V-1500V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
10,6A 650V N-kanálový super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10,6A DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
18A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
20A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
10,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Špecifikácia zariadenia DJF380N65T Rev.1.0.pdf
12A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650 V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
180A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datasheet V1.0(1).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
10A 800V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
10A 600V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600 V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 5N50 5N50

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com