brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
12A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Špecifikácia zariadenia D12N06(TO-252B).pdf
175A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
170A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Špecifikácia zariadenia DHS020N04P Rev.2.0.pdf
240A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS020N88U TOLL balík DHS020N88U TOLL 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
15A 40V P-channel režim vylepšenia napájania MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
205A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Špecifikácia zariadenia DHS025N88.pdf
80A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Zariadenie DH065N04 Špecifikácia.pdf
7A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800 V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
2A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zariadenie+DSD040N08N3A+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
2A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Zariadenie DH10H035R Špecifikácia.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500 V 5A Špecifikácia zariadenia D5N50&B5N50.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Špecifikácia zariadenia D5N50&B5N50.pdf
220A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Zariadenie DH009N02P Špecifikácia.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
18A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf

Video o produkte



  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty