未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

MOSFET

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
12A 60V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Specifikace zařízení D12N06(TO-252B).pdf
175A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
4A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
170A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Specifikace zařízení DHS020N04P Rev.2.0.pdf
240A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88U TOLL balíček DHS020N88U MÝTNÉ 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
15A 40V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specifikace zařízení DHS025N88.pdf
7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
80A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Specifikace zařízení DH065N04.pdf
7A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zařízení+DSD040N08N3A+Specifikace+Rev.1.0.pdf
2A 600V N-channe Enhancement Mode Power MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení DH10H035R.pdf
5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Specifikace zařízení D5N50&B5N50.pdf
5A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Specifikace zařízení D5N50&B5N50.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
220A 20V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Specifikace zařízení DH009N02P.pdf
Výkonový MOSFET 320A 20V N-channel Mode Enhancement DH009N02U

Video o produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com