未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
12A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Laitteen D12N06 Specification(TO-252B).pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 -220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
170A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Laite DHS020N04P Specification Rev.2.0.pdf
240A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS020N88U TOLL-paketti DHS020N88U TOLL 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
4A 700 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
15A 40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
7A 600 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
205A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Laite DHS025N88 Specification.pdf
80A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Laite DH065N04 Specification.pdf
7A 800 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
2A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf
2A 600V N-kanavan parannustilan teho MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R -220C 100V 120A Laitteen DH10H035R Specification.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätila teho MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
220A 20V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Laitteen DH009N02P Specification.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH009N02U

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com